某有限公司的笔试题
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[10-15 19:48:03] 来源:http://www.dxs56.com 面试技巧 阅读:8883次
概要: 1.画出NMOS的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和C-V曲线) 2.2.2um工艺下,Kn=3Kp,设计一个反相器,说出器件尺寸。 3.说出制作N-well的工艺流程。 4.雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。 5.用CMOS画一个D触发器(clk,d,q,q-)。
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1.画出NMOS的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和C-V曲线)
2.2.2um工艺下,Kn=3Kp,设计一个反相器,说出器件尺寸。
3.说出制作N-well的工艺流程。
4.雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5.用CMOS画一个D触发器(clk,d,q,q-)。
1.画出NMOS的特性曲线(指明饱和区,截至区,线性区,击穿区和C-V曲线)
2.2.2um工艺下,Kn=3Kp,设计一个反相器,说出器件尺寸。
3.说出制作N-well的工艺流程。
4.雪崩击穿和齐纳击穿的机理和区别。
5.用CMOS画一个D触发器(clk,d,q,q-)。
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